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sNIRII系列
国产 InGaAs 传感器，覆盖 900–1700 nm（NIR-II），640×512 分辨率，按型号提供 TEC 制冷与 USB3/10GigE 接口
- sNIRII
- NIR
- 制冷
- USB3.0
- 10 GigE
图谱光电 sNIRII 近红外二区活体成像相机系列
900–1700 nm 响应，按型号提供 TEC 制冷与高速数据接口
NIR-II 波段，突破成像深度极限
900–1700 nm 近红外二区成像，国产 InGaAs 传感器，按型号提供 TEC 制冷
NIR-II 波段覆盖 900-1700nm
国产 InGaAs 传感器
TEC 制冷：640B 低于室温 50°C；640A 低于室温 40°C
接口与缓存配置按型号提供
国产 InGaAs 传感器
分辨率：640×512 (0.33MP)
像元尺寸：15µm × 15µm
靶面：640B 为 1/2"；640A 为 3/4"（规格书）
响应波段：900-1700nm (NIR-II)
*全局快门，无运动畸变
TEC 制冷（按型号）
制冷温差：640B 低于室温 50°C；640A 低于室温 40°C
640B 暗电流：MCG 193.909（规格书未注明单位）
640B 动态范围：55.8 / 58.1 / 58.3dB（HCG / MCG / LCG）
支持规格书所列的光学结构与接口配置，具体以型号资料为准
灵活的接口配置
USB3.0
10GigE
640B：USB3；640A：USB3 / 10GigE
10GigE 传输距离和系统配置以最终型号资料为准
专业成像功能
8/16-bit 数据输出，提升弱信号层次
512MB (4Gb) 大容量板载缓存
支持软件 2×2 / 3×3 / 4×4 binning
640B 支持 HCG / MCG / LCG 三种转换增益模式
典型应用领域
活体成像
900–1700 nm 近红外成像，具体样品与系统配置需结合实验验证
荧光检测
弱光与荧光成像，具体探针和曝光条件需结合实验验证
近红外显微成像
用于显微观察和科研成像系统集成
材料与器件表征
900–1700 nm 波段材料与器件成像
材料分析
短波红外材料和器件观察，需按样品验证
光谱成像
近红外光谱或激光成像系统集成，需按系统验证
技术优势
超低噪声成像
640B 采用 TEC 制冷并提供三种转换增益模式；MCG 暗电流记录为 193.909（规格书未注明单位）
结构与环境参数
光学结构与低温使用条件以具体型号规格书为准
完整 SDK 支持
支持 Windows/Linux 双平台，提供 C/C++、C#、Python 等多语言 SDK，配套 ToupView 软件
灵活触发模式
具体触发方式以型号最终规格和配套软件为准
图谱光电 sNIRII 系列采用国产 InGaAs 图像传感器，覆盖 900–1700 nm（NIR-II），并按型号提供 TEC 制冷、USB3 或 USB3 / 10GigE 接口。具体制冷温差、靶面和性能参数请以对应型号规格为准。