sNIRII640A-U3-10G (即将推出) 近红外二区活体成像相机
产品介绍
sNIRII640A-U3-10G（即将推出）采用国产 InGaAs 图像传感器，响应 900–1700 nm，提供 640×512 分辨率、15 µm 像元和全局快门。相机采用 TEC 制冷，制冷温差低于室温 40°C；支持 USB3 / 10GigE、8/16-bit 输出、512 MB（4 Gb）缓存以及软件 2×2 / 3×3 / 4×4 binning。
产品特点
- 即将推出；国产 InGaAs 图像传感器，响应 900–1700 nm
- 640×512（0.33MP）分辨率，15µm × 15µm 像元，全局快门
- TEC制冷，制冷温差低于室温40°C
- USB3 / 10GigE，8/16-bit 输出，512MB（4Gb）缓存
- 曝光、转换增益、读出噪声、满井电荷和动态范围以最终规格为准
- 软件 2×2 / 3×3 / 4×4 binning
- 19V 4.74A DC 供电；镜头接口及功耗待最终规格确认
- Windows/Linux；ToupView、Delsa CLView、LabVIEW、MATLAB；C/C++/C#/Python SDK
产品详情
| 规格参数 | |
| 型号 | sNIRII640A-U3-10G (即将推出) |
| 传感器 | 国产 InGaAs 图像传感器 |
| 快门类型 | 全局快门 |
| 色彩类型 | 黑白 |
| 分辨率 | 0.33MP (640×512) |
| 传感器尺寸 | TBD |
| 传感器对角线 | 3/4" |
| 像素尺寸 | 15µm × 15µm |
| 性能参数 | |
| 帧率 | TBD@640×512 |
| 位深 | 8/16bit |
| 动态范围 | TBD |
| 灵敏度 | TBD |
| 转换增益 | TBD |
| 读出噪声 | TBD |
| 满井电荷 | TBD |
| 最大信噪比 | TBD |
| 暗电流 | TBD |
| 光谱范围 | 900–1700nm |
| 制冷方式 | TEC制冷 |
| 制冷温差 | 低于室温40°C |
| 曝光时间 | TBD |
| 接口参数 | |
| GPIO | TBD |
| 镜头接口 | TBD |
| 数据接口 | USB3 / 10GigE |
| 电源供电 | 19V 4.74A DC |
| 板载缓存 | 512MB（4Gb） |
| Binning | 软件 2×2 / 3×3 / 4×4 |
| 功耗 | TBD |
| 物理参数 | |
| 外形尺寸 | 137.8mm × 100mm × 100mm |
| 重量 | TBD |
| 环境参数 | |
| 工作温度 | -30°C ~ +45°C |
| 工作湿度 | 0-95% |
| 存储温度 | -40°C ~ +60°C |
| 存储湿度 | 0-95% |
| 其他参数 | |
| 操作系统 | Windows/Linux |
| 认证 | CE/FCC |
产品概述
sNIRII640A-U3-10G (即将推出) 是一款搭载 国产 InGaAs 图像传感器 的 900–1700nm 近红外二区相机，具有以下特征：
- 高分辨率成像：0.33MP (640×512) 分辨率，15µm × 15µm 像元尺寸，靶面尺寸为 TBD
- 快门设计：采用全局快门设计，支持黑白成像，适用于 900–1700nm 波段科研成像和系统集成
- 高速数据传输：支持 USB3 / 10GigE 高速数据接口，最大帧率可达 TBD@640×512，数据输出格式涵盖 8/16bit
- 优异动态范围：动态范围最高可达 TBD，灵敏度为 TBD
- 制冷系统：TEC制冷，制冷温差为 低于室温40°C
- 丰富接口：支持 GPIO 接口，镜头接口为标准 TBD 接口
- 紧凑设计：整机尺寸为 137.8mm × 100mm × 100mm，重量约为 TBD，供电为 19V 4.74A DC
- 全平台支持：支持 Windows/Linux 系统，配套 ToupView 软件及跨平台 SDK，支持 C/C++、C#、Python 等主流开发语言
核心性能指标
帧率
TBD@640×512
分辨率
0.33MP (640×512)
制冷能力
低于室温40°C
科学成像特性
国产 InGaAs 传感器
采用国产 InGaAs 图像传感器，响应 900–1700nm，适合对应波段的科研成像
制冷降噪
TEC 制冷温差按型号列示；暗电流、读出噪声等参数以对应型号规格为准
高灵敏度
灵敏度参数：TBD
灵活控制
支持软件 Binning；触发和控制方式以对应型号规格与配套软件为准
sNIRII640A-U3-10G (即将推出) 相机的传感器、TEC 制冷温差、接口和其他性能参数以本页规格表为准，适用于 900–1700nm 近红外二区科研成像系统。
sNIRII 系列规格说明
以下内容按两款型号的现有规格分别列示
型号参数对照
未在现有规格书中给出的项目保留为待确认，不作性能推断
| 参数 | sNIRII640B-U3 | sNIRII640A-U3-10G |
|---|---|---|
| 传感器 / 响应范围 | 国产 InGaAs / 900–1700 nm | 国产 InGaAs / 900–1700 nm |
| 分辨率 / 像元 | 640×512 / 15 µm × 15 µm | 640×512 / 15 µm × 15 µm |
| 靶面 | 1/2" | 3/4" |
| 制冷 | TEC；低于室温 50°C | TEC；低于室温 40°C |
| 数据接口 | USB3 | USB3 / 10GigE |
| 数据格式 / 缓存 | 8/16-bit；512MB（4Gb） | 8/16-bit；512MB（4Gb） |
| 供电 | 19V 4.74A DC | 19V 4.74A DC |
| 功耗 | TEC OFF 8.4W；TEC ON <16W | 待最终规格确认 |
可核对的使用方向
用途标签来自项目中的已确认证据；具体样品、光学系统和曝光条件需要单独验证
近红外显微成像
用于 900–1700 nm 波段的显微观察和科研成像系统集成。
弱光与荧光
TEC、全局快门和 8/16-bit 输出可用于弱光与荧光采集方案，参数需按型号确认。
材料与器件表征
覆盖 900–1700 nm 的短波红外成像，可用于材料和器件观察，需结合样品验证。
光谱与激光成像
支持与光谱或激光成像系统集成，接口、触发和曝光条件以项目配置为准。